日期:2017-01-16 10:45
band gap，WBG)的半导体组件，而较宽的能隙意味着较高的临界电场(临界电场是关断状态下的阻塞电压)。宽带隙SiC组件的高压能力允许它们具有更低的导通电阻，从而实现更快的开关速度和单极性工作状态，部分原理是其载频需要被加速至更高的速度(更高的动能)来克服更宽的能隙。
虽然砷化镓(GaA)和氮化镓(GaN)也具有很高的临界电场，也是针对大功率解决方案的改进型组件，但SiC还有其他优势。诸如更高的最大工作温度，很高的德拜温度(Debye temperature)，很高的热传导性(在多晶SiC中)，在电场中实现快速开关和低电阻率的高载流子饱和速度，方