日期:2017-01-16 10:45
表明，如果开关频率可以提高5倍，电感和电容的体积就可以缩小至五分之一。今天的GaN技术可以支持很高的速度。
GaN功率组件在4个关键领域表现相当卓越：高温工作、更高的击穿电压、低导通电阻及适合更高工作频率的奈米级开关速度。这些优势和GaN与SiC类似，而它们的区别有两点：LED和射频晶体管一直使用GaN；许多Si工艺兼容GaN工艺，与SiC较高的基底成本相比，降低了晶圆成本及工艺成本。
由于早在2003年就解决了可靠性问题，因此今天的技术成功让第一个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)组件进行投产。这些都是常态导通(normally-on)组件，因此