日期:2017-01-16 10:45
V的栅极电压将形成导通状态，小于0V的任何电压都将关断组件。早期使用的是SiC基板(substrate)，一旦Si基板能与GaN完美结合，生产成本就能显著降低。在2014年，一个新的级联架构实现将常态导通组件变为常断(normally-off)组件。
自此以后，驱动技术获得长足发展，整合度越来越高，电源逆变器也有显著进步。GaN组件在电动汽车的电池充电器中也有不凡表现，这些充电器由交流/直流转换器加直流/直流转换器组成。这种组合就是一种功率因子控制器(PFC)(图2)。
▲图2 典型的电动汽车电源架构
利用GaN，加上开关速度更高的GaN HEMT，可以实现