日期:2017-02-17 08:05
AS）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等。以Si为代表的传统半导体功率电子器件的发展已经接近材料的极限，在摩尔定律的规律下已经走过了50多年，不能满足器件应用不断发展的要求，寻找新的半导体材料替代硅已经成了近些年半导体发展的方向之一。而有着更高禁带宽度的第三代宽禁带半导体材料开始逐渐走向研究与应用，最为前沿且成熟的技术就是SiC与GaN。
SiC肖特基二极管已经有10年以上历史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出现，GaN功率器件更是刚刚才在市场上出现。因此，相比而言，GaN要实现产业化还需要十几年时间，甚