新能源汽车电机技术未来发展趋势探讨 集成化与高效轻量高性价比成重点
日期:2017-02-17 08:05
1


10.8


22.9


16.9


77.8




相对于Si而言，第三代半导体材料SiC与CaN的优点更明显，主要优点如下：
（1）从上表格可以看出，SiC与CaN带隙都大于3.0eV,是Si的3倍左右。SiC与CaN器件禁带宽度大于Si，大大降低了器件的泄漏电流，使其具有抗辐照的特性。
（2）SiC与CaN的工作温度要大于Si，理论上SiC工作温度可达到600℃，在高温场合的优势明显。
（3

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