日期:2017-02-17 08:05
）从表格可以看出，绝缘击穿场强度大，SiC击穿场强度达到2MV/cm及以上，CaN击穿场强度更高，为3.3MV/cm，是Si的十倍。这样大大提高了功率器件的耐压容量、工作频率及电流密度，同时也大大降低了器件的导通损耗。
（4）从表格可以看出，SiC还由于有较高的饱和迁移速度和较低的介电系数，是Si的2倍，使得SiC器件具有好的高频特性。
（5）从表格可以看出，SiC的热导性为4.5W/cm K，要高于Si的热导率，散热性较好，提高SiC功率器件的功率密度和集成度。
根据蓝皮书文摘，SiC器件应用将呈现如下趋势，一是提高开关频率和母线电压，一方面降低系